Name: IXYS IXFP3N120
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP3N120
Price: 69.98 RMB
Availability: InStock

说明：

MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds

ECAD模型:

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定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥79.0774	¥79.08
	¥43.7536	¥437.54
	¥41.6066	¥4,160.66

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	3 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
Qg-栅极电荷:	39 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	200 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	1.5 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	HiPerFET
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	32 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFP3N120 数据表

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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