您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IXFR24N100Q3

Name: IXYS IXFR24N100Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFR24N100Q3
Price: 147.13 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXFR24N100Q3

制造商编号：

IXFR24N100Q3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

数据表:

IXFR24N100Q3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXFR24N100Q3详情

供货情况

库存：: 无库存

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 46 周预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 300 倍数： 30

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥166.2569	¥49,877.07

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	490 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Qg-栅极电荷:	140 nC
Pd-功率耗散:	500 W
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	300 ns
系列:	IXFR24N100
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	6 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXFR24N100Q3 数据表

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

IXYS has expanded the HiPerFET MOSTET family by introducing the Q3-Class products. The new Q3-Class provide up to a 25 percent reduction in on-state resistance, 27 percent reduction in input capacitance, 28 percent reduction in gate chare, 41 percent increase in maximum power dissipation, and up to 50 percent reduction in thermal resistances. These high-current, Polar HT™/HV™ HiPerFET™ power MOSFETs from IXYS are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types. View all .

Q3级HiperFET™功率MOSFET

IXYS Q3级HiPerFET™功率MOSFET为最终用户提供各种具有出色电源开关性能的器件。它们还具有出色的散热特性、增强的器件耐用性和高能效。这些MOSFET具有200V至1000V的额定漏-源电压和10A至100A的额定漏极电流。得益于以上特性，使Q3级达到了低导通电阻 (R_dson) 和低栅极电荷 (Q_g) 的最佳组合，从而显著降低了器件的导通和开关损耗。通过采用HiperFET 工艺进一步提高了电源开关能力和器件的耐用性。该工艺生产出的器件具有快速本征整流器，其具有低反向恢复电荷 (Q_rr)，同时增强了器件的换向dv/dt额定值（高达50V/ns）。

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.