IXFT320N10T2

Name: IXYS IXFT320N10T2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFT320N10T2
Price: 155.04 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFT320N10T2

制造商编号：

IXFT320N10T2

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET

数据表:

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	¥100.5022	¥12,060.26

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D3PAK-3 (TO-268-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	320 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	430 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	1 kW
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
下降时间:	73 ns
正向跨导 - 最小值:	80 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	46 ns
系列:	IXFT320N10
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	73 ns
典型接通延迟时间:	36 ns
单位重量:	6.500 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

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