IXFX32N80Q3

Name: IXYS IXFX32N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX32N80Q3
Price: 230.73 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXFX32N80Q3

制造商编号：

IXFX32N80Q3

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A

数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	32 A
Rds On-漏源导通电阻:	270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Qg-栅极电荷:	140 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1 kW
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	300 ns
系列:	IXFX32N80
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
单位重量:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

HiPerFET Power MOSFETs

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