免费电话: 400-821-6111

TTI Family of Specialists旗下成员联系Mouser (上海) 免费电话: 400-821-6111 反馈

更改位置

¥ RMB

库存量

RoHS

制造商	制造商编号：	数量	总价（含13%增值税）

查看购物车

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

IXTA180N10T

Name: IXYS IXTA180N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA180N10T
Price: 49.19 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

747-IXTA180N10T

制造商编号：

IXTA180N10T

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds

数据表:

IXTA180N10T 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解IXYS IXTA180N10T详情

库存量: 552

库存：: 552 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 23 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥55.5847	¥55.58
	¥27.798	¥277.98
	¥26.4646	¥2,646.46
	¥23.0746	¥11,537.30
	¥22.7469	¥22,746.90

备用包装

制造商零件编号:

IXTA180N10T-TRL

包装:

Reel, Cut Tape

供货情况:

库存量

单价:

¥55.9124

最小:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	180 A
Rds On-漏源导通电阻:	6.4 mOhms
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	480 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	31 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	54 ns
系列:	IXTA180N10
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	42 ns
典型接通延迟时间:	33 ns
单位重量:	1.600 g

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IXTA180N10T 数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low R_DS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.