IXTA6N100D2

IXYS
747-IXTA6N100D2
IXTA6N100D2

制造商:

说明:
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

ECAD模型:
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库存量: 3,774

库存:
3,774
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在途量:
1,950
生产周期:
32
大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥77.0095 ¥77.01
¥48.138 ¥481.38
¥46.7368 ¥4,673.68

备用包装

制造商零件编号:
包装:
Reel, Cut Tape
供货情况:
库存量
单价:
¥91.3153
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263AA-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
6 A
2.2 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
95 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Depletion
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 47 ns
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 80 ns
系列: IXTA6N100
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 1.600 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

D2系列N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS D2系列100V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是以“常开”模式运行的耗尽型器件,栅极端子需要零导通电压。该系列具有高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻,以便在连续“导通”(例如紧急或防盗报警)的系统中简化控制并降低功耗。