IXTN8N150L

Name: IXYS IXTN8N150L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTN8N150L
Price: 395.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXTN8N150L

制造商编号：

IXTN8N150L

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET模块 8 Amps 1500V

数据表:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	SOT-227-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.5 kV
Id-连续漏极电流:	7.5 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	545 W
系列:	IXTN8N150
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	KR
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	95 ns
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	18 ns
工厂包装数量:	10
子类别:	Discrete and Power Modules
类型:	Linear Power MOSFET
典型关闭延迟时间:	90 ns
典型接通延迟时间:	36 ns
Vr - 反向电压 :	100 V
单位重量:	30 g

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.