IXTP08N100D2

IXYS
747-IXTP08N100D2
IXTP08N100D2

制造商：

说明：
MOSFET N-CH MOSFETS 1000V 800MA

数据表:
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库存量: 1,465

库存：
1,465
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在途量:
2,399
生产周期：
32
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥30.3518 ¥30.35
¥15.2211 ¥152.21
¥13.6504 ¥1,365.04
¥13.1532 ¥6,576.60
¥11.4921 ¥11,492.10

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
800 mA
21 Ohms
- 20 V, 20 V
4 V
14.6 nC
- 55 C
+ 150 C
60 W
Depletion
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 48 ns
正向跨导 - 最小值: 330 mS
产品类型: MOSFETs
上升时间: 57 ns
系列: IXTP08N100
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 34 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

D2系列N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS D2系列100V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是以“常开”模式运行的耗尽型器件，栅极端子需要零导通电压。该系列具有高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻，以便在连续“导通”（例如紧急或防盗报警）的系统中简化控制并降低功耗。

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