IXTP20N65X2M

IXYS
747-IXTP20N65X2M
IXTP20N65X2M

制造商：

说明：
MOSFET TO220 650V 20A N-CH X2CLASS

数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥24.7357 ¥7,420.71
¥21.8316 ¥10,915.80

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
185 mOhms
- 30 V, 30 V
2.5 V
- 55 C
+ 150 C
290 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

非车载充电器子单元电源转换器

Littelfuse非车载充电器子单元电源转换器用于能够在30分钟内将SOC充电至80%的直流充电站。这些快速充电应用需要模块化电源转换器，可以并联满足不同功率的需求，从而实现快速充电。最关键的参数是能量密度和系统效率。直流充电站中的子单元电源转换器由集成在充电站中的交流/直流电源级和直流/直流电源级组成。

热泵

Littelfuse供应各种用于热泵的元件，包括保险丝、TVS二极管、栅极驱动器等。热泵市场正在迅速增长，这得益于政府为减少温室气体排放和提高能源成本而采取的举措。得益于逆变器驱动电机提高系统效率，热泵可用于各种气候条件。了解Littelfuse技术如何使热泵更安全、更可靠、更节能。由于逆变器驱动的电机提高了系统效率，热泵可用于各种气候条件。这些元件适合用于各种应用，如能源管理、安全系统、暖通空调系统、烟雾探测器和物联网控制设备。Littelfuse采用保护、控制和感测技术，以提高楼宇的可靠性、安全性和能效。

智能插座解决方案

Littelfuse智能插座解决方案元件包括智能插座和调光器，可通过应用或虚拟助手控制。Littelfuse智能插座应用产品系列包括PICO® II 473 Slo-Blo® 保险丝、UltraMOV 14mm压敏电阻器、SJ SCR开关晶闸管、晶闸管三端双向可控硅、IX4340栅极驱动器和650V X2 MOSFET。智能插座可插入或替代传统插座，让用户可以通过应用或虚拟助手控制插入其中的设备。智能光调光器也可以远程控制。现代灯泡电路并非将来自灯泡的能量转到电阻器，而是随家用交流电流波动每秒关闭多次，从而提高效率。

850V超结X级HiPerFET™ MOSFET

IXYS 850V 超结 X 级 HiPerFET™ MOSFET 是增强模式雪崩额定快速内在二极管。这些 MOSFET 采用高功率密度和低封装电感设计，具有低导通电阻 RDS(ON) 和低 QG 值。X 级 MOSFET 可采用国际标准封装。典型应用是开关模式和谐振模式电源、机器人和伺服控制以及其他类似应用。
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电动汽车直流快速充电器

Littelfuse电动汽车 (EV) 充电解决方案包括非车载直流快速充电器。Littelfuse电动汽车充电解决方案支持设计人员选择理想的解决方案，以确保其电动汽车充电装置功能齐全、安全可靠。

X2级HiPerFET™功率MOSFET

IXYS X2级HiPerFET™功率MOSFET设计用于高效率和高速功率开关应用。此超结X2级MOSFET具有低栅极电荷、出色的耐用性，以及快速本征二极管。这些MOSFET采用隔离型等多种标准工业封装形式。典型应用包括开关和谐振电源、DC-DC转换器、PFC电路、AC和DC电机驱动器以及机器人和伺服控制。 

非公路电动汽车解决方案

Littelfuse  为非公路电动汽车提供各种解决方案。这些电动汽车采用类似架构，功率范围为48 V至400 V。非公路电动汽车包括电动叉车、高尔夫球车、三轮车、拖车拖拉机、压缩机和挖掘机。

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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