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IXTP4N70X2M

Name: IXYS IXTP4N70X2M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP4N70X2M
Price: 31.4 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

747-IXTP4N70X2M

制造商编号：

IXTP4N70X2M

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET TO220 700V 4A N-CH X4CLASS

数据表:

IXTP4N70X2M 数据表

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	¥18.193	¥181.93
	¥16.2946	¥1,629.46
	¥13.56	¥6,780.00
	¥12.2379	¥12,237.90

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	700 V
Id-连续漏极电流:	4 A
Rds On-漏源导通电阻:	850 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	HiPerFET
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	28 ns
正向跨导 - 最小值:	2.6 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	27 ns
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	66 ns
典型接通延迟时间:	20 ns

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

热泵

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IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.