IXTQ30N60P

IXYS
747-IXTQ30N60P
IXTQ30N60P

制造商：

说明：
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds

数据表:
ECAD模型:
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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
27 周 预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 300   倍数： 30
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥49.7087 ¥14,912.61
¥48.6352 ¥24,803.95

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
1 Channel
600 V
30 A
240 mOhms
- 30 V, 30 V
- 55 C
+ 150 C
540 W
Enhancement
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 25 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 20 ns
系列: IXTQ30N60
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 29 ns
单位重量: 5.500 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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