IXTQ69N30P

IXYS
747-IXTQ69N30P
IXTQ69N30P

制造商：

说明：
MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 268

库存：
268 可立即发货
生产周期：
27 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥97.1122 ¥97.11
¥58.7261 ¥587.26
¥57.5735 ¥6,908.82
¥55.0084 ¥28,054.28

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
N-Channel
1 Channel
300 V
69 A
49 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
180 nC
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: KR
下降时间: 27 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 25 ns
系列: IXTQ69N30
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 5.500 g
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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