IXTT16N50D2

IXYS
747-IXTT16N50D2
IXTT16N50D2

制造商：

说明：
MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFET

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 425

库存：
425
可立即发货
在途量:
300
预期 2026/9/9
生产周期：
49
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥183.8736 ¥183.87
¥150.2109 ¥1,502.11
¥132.097 ¥15,851.64
¥127.0572 ¥64,799.17

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
16 A
300 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
199 nC
- 55 C
+ 150 C
695 W
Depletion
Tube
商标: IXYS
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: PH
下降时间: 220 ns
正向跨导 - 最小值: 7 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 173 ns
系列: IXTT16N50
工厂包装数量: 30
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 203 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 6.500 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

D2系列N通道耗尽型功率MOSFET

IXYS D2系列100V - 1700V N通道耗尽型功率MOSFET是以“常开”模式运行的耗尽型器件，栅极端子需要零导通电压。该系列具有高达1700V的阻断电压和低漏极-源极电阻，以便在连续“导通”（例如紧急或防盗报警）的系统中简化控制并降低功耗。

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