IXTX22N100L

Name: IXYS IXTX22N100L
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTX22N100L
Price: 365.19 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

747-IXTX22N100L

制造商编号：

IXTX22N100L

制造商：

IXYS

说明：

MOSFET LINEAR PWR MOSFET N-CHAN 1000V 22A

数据表:

IXTX22N100L 数据表 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-PLUS-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1 kV
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	600 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 30 V, 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.5 V
Qg-栅极电荷:	270 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	700 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	IXYS
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
下降时间:	50 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
系列:	IXTX22N100
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	80 ns
典型接通延迟时间:	36 ns
单位重量:	6 g

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数据表

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA

IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA are N-Channel enhancement mode power MOSFETs designed for linear operation in an international standard package. IXYS Linear Power MOSFETs with Extended FBSOA feature a miniBLOC with aluminium nitride isolation, high power density, a space-saving and easy-to-mount package, and molding epoxy which meets the UL94 V-0 flammability classification.