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IXYK85N120C4H1

Name: IXYS IXYK85N120C4H1
Brand: IXYS
SKU: 576-IXYK85N120C4H1
Price: 181.9 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

576-IXYK85N120C4H1

制造商编号：

IXYK85N120C4H1

制造商：

IXYS

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYK85N120C4H1

数据表:

IXYK85N120C4H1 数据表 (PDF)

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	¥134.244	¥1,342.44
	¥123.2491	¥12,324.91
	¥123.1587	¥61,579.35

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	IXYS
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-264-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	2 V
栅极/发射极最大电压:	- 20 V, 20 V
在25 C的连续集电极电流:	220 A
Pd-功率耗散:	1.15 kW
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	IXYS
集电极最大连续电流 Ic:	220 A
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	25
子类别:	IGBTs
商标名:	XPT

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数据表

IXYK85N120C4H1 数据表 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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