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1EDI60I12AF

Name: Infineon 1EDI60I12AF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI60I12AF
Price: 21.52 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-1EDI60I12AF

制造商编号：

1EDI60I12AF

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

数据表:

1EDI60I12AF 数据表 (PDF)

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单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥24.3176	¥24.32
	¥15.7974	¥157.97
	¥14.3058	¥357.65
	¥12.0797	¥1,207.97
	¥11.3339	¥2,833.48
	¥9.9214	¥4,960.70
	¥8.8479	¥8,847.90
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥7.4919	¥18,729.75

备用包装

制造商零件编号:

1EDI60I12AFXUMA1

包装:

Reel, Cut Tape

供货情况:

库存量

单价:

¥15.8765

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	High-Side
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DSO-8
激励器数量:	1 Driver
输出端数量:	1 Output
输出电流:	6 A
电源电压-最小:	3.1 V
电源电压-最大:	17 V
配置:	Inverting, Non-Inverting
上升时间:	10 ns
下降时间:	9 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 150 C
系列:	1ED Compact
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	DE
逻辑类型:	CMOS
最大关闭延迟时间:	330 ns
最大开启延迟时间:	330 ns
湿度敏感性:	Yes
Pd-功率耗散:	400 mW
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	330 ns
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	2500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	EiceDRIVER
零件号别名:	SP001037208 1EDI60I12AFXUMA1
单位重量:	83 mg

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。

EiceDRIVER隔离式与非隔离式栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™隔离式与非隔离式栅极驱动器IC为MOSFET、IGBT和IGBT模块提供经过优化的高低电压栅极驱动器解决方案。这些隔离式与非隔离式栅极驱动器IC是专为打造可靠且高效的应用所设计。经过优化的栅极驱动器配置，对于无论是独立形式还是电源模块形式的所有电源开关而言，都是必不可少的。Infineon栅极驱动器提供介于0.1A到最高10A的多样化典型输出电流选项，适合电源装置的所有尺寸。

单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC

英飞凌科技单通道EiceDRIVER™ MOSFET栅极驱动器IC是连接控制IC以及功能强大的MOSFET和GaN开关器件的关键所在。这些栅极驱动器IC可实现系统级高效率，并具有出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。

隔离式栅极驱动器

英飞凌隔离式栅极驱动器采用磁耦合无芯变压器（CT）技术，可跨电流隔离传输信号。这些驱动器提供基本功能、增强型隔离、通过UL 1577和VDE 0884认证的产品。此隔离支持非常大的电压波动（例如 ±1200V）。这些隔离式驱动器集成了MOSFET、IGBT、IGBT模块、SiC MOSFET和GaN HEMT驱动的最重要特性和参数。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。