AIMDQ75R007M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-AIMDQ75R007M2HXT
AIMDQ75R007M2HXTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies AIMDQ75R007M2HXTMA1详情

库存量: 24

库存：
24 可立即发货
生产周期：
8 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥286.0369 ¥286.04
¥234.0908 ¥2,340.91
¥206.79 ¥20,679.00
¥205.7956 ¥102,897.80
整卷卷轴（请按750的倍数订购）
¥205.4679 ¥154,100.93
2,250 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
750 V
220 A
9 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
789 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 78 S
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18 ns
系列: CoolSiC G2
工厂包装数量: 750
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Automotive MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: AIMDQ75R007M2H SP005982740
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的RDS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，为设计人员提供了灵活的方案，以优化导通和开关性能。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。