AIMZA75R007M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-AIMZA75R007M2HXK
AIMZA75R007M2HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

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数量 单价
总价
¥296.286 ¥296.29
¥242.4415 ¥2,424.42
¥214.2367 ¥21,423.67
1,000 报价

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
Through Hole
PG-TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
172 A
9 mOhms
- 11 V, + 25 V
5.6 V
169 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 78 S
封装: Tube
产品: Power MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 18 ns
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: CoolSiC Automotive Power Device
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: AIMZA75R007M2H SP006113236
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已选择的属性: 0

数据表

ECCN:
EAR99

CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的RDS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，为设计人员提供了灵活的方案，以优化导通和开关性能。

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