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AIMZA75R033M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R033M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R033M2HXK
Price: 93.7 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-AIMZA75R033M2HXK

制造商编号：

AIMZA75R033M2HXKSA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

AIMZA75R033M2HXKSA1 数据表 (PDF)

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	¥105.881	¥105.88
	¥82.8855	¥828.86
	¥69.0656	¥6,906.56
	¥61.5398	¥30,769.90
	¥57.404	¥57,404.00

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	PG-TO-247-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	750 V
Id-连续漏极电流:	47 A
Rds On-漏源导通电阻:	41.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	164 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
下降时间:	7 ns
正向跨导 - 最小值:	16 S
封装:	Tube
产品:	Power MOSFET
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	8 ns
子类别:	Transistors
技术:	SiC
晶体管类型:	1 N-Channel
类型:	CoolSiC Automotive Power Device
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
零件号别名:	AIMZA75R033M2H SP006113276

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™车规级750V G2 MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ (CoolSiC™) 车规级750V G2 MOSFET经过专门设计，以满足电动汽车 (EV) 应用的严格要求，例如牵引逆变器、车载充电器 (OBC) 和高压DC/DC转换器。这些碳化硅 (SiC) MOSFET具有卓越的效率、功率密度和热性能，可实现新一代电动移动系统。这些设备的电压额定值为750V，采用第二代CoolSiC™技术，与传统的硅解决方案相比，具有更好的开关特性和更低的损耗。该系列产品的R_DS(on)值范围为9mΩ至78mΩ，为设计人员提供了灵活的方案，以优化导通和开关性能。