BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFR843EL3E6327XT
BFR843EL3E6327XTSA1

制造商：

说明：
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Infineon Technologies BFR843EL3E6327XTSA1详情

库存量: 14,785

库存：
14,785
可立即发货
在途量:
15,000
生产周期：
6
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按15000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥6.4523 ¥6.45
¥4.1245 ¥41.25
¥3.3787 ¥337.87
¥3.2318 ¥1,615.90
¥3.1075 ¥3,107.50
¥2.9945 ¥7,486.25
整卷卷轴（请按15000的倍数订购）
¥2.9945 ¥44,917.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS:  
Bipolar
SiGe
NPN
12 GHz
230
2.25 V
55 mA
SMD/SMT
TSLP-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Infineon Technologies
组装国: MY
扩散国家: DE
原产国: DE
Pd-功率耗散: 125 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 15000
子类别: Transistors
零件号别名: BFR 843EL3 E6327 SP001062610
单位重量: 0.470 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

英飞凌射频晶体管

英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。

高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。

适用于IoT应用的射频解决方案

英飞凌射频解决方案组合提供高性能的射频技术产品，用于在物联网应用中实现可靠的无线连接。物联网设备的数量正在飞速增长。同时，客户期望在产品设计和功能方面获得出色的用户体验。

出现意外错误。


有问题吗？ 请访问帮助中心。
有关特定订单的问题，请登录您的账户。

如果您遇到其他问题，请致电800-346-6873联系我们，或发送电子邮件至 help@mouser.com 。