Name: Infineon FP10R12W1T7BOMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FP10R12W1T7BOMA1
Price: 287.46 RMB
Availability: OutOfStock

说明：

IGBT 模块 EASY

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥324.8298	¥324.83
	¥265.6856	¥2,656.86
	¥234.7462	¥28,169.54

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	IGBT 模块
产品:	IGBT Silicon Modules
配置:	3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.6 V
在25 C的连续集电极电流:	10 A
栅极—射极漏泄电流:	100 nA
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	DE
产品类型:	IGBT Modules
系列:	Trenchstop IGBT7
工厂包装数量:	24
子类别:	IGBTs
技术:	Si
商标名:	EasyPIM
零件号别名:	FP10R12W1T7 SP005351582

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

FP10R12W1T7BOMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200 V PIM IGBT模块

英飞凌 1200V PIM IGBT模块采用TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7二极管技术，基于最新的微型沟槽技术。此技术可大幅降低损耗并提供高度可控性。与以前使用的方形沟槽电池相比，该电池概念的特点是通过亚微米网状分离实现并联沟槽式电池。该芯片专门优化用于工业驱动应用和太阳能系统，这意味着更低的静态损耗，更高的功率密度，以及更柔和的开关。对于英飞凌1200V PIM IGBT模块，将最大工作温度提升至175°C可显著提高功率密度。

TRENCHSTOP™ IGBT7分立式器件和模块

英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT7分立式器件和模块设计用于多种变速驱动器。如果所有工业驱动器中只有一半具有电速度控制功能，则可以节省20%的能量或1700万吨CO₂ 排放。英飞凌通过TRENCHSTOP IGBT7技术实现这种切换。

EasyPIM™ IGBT模块

Infineon Technologies EasyPIM™ IGBT模块是一款三相输入整流器PIM IGBT模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7、发射器控制7二极管和NTC/PressFIT技术。该模块具有增强的dv/dt可控性、改进的FWD软度、优化的开关损耗以及8μs短路稳定性。EasyPIM（功率集成模块）外形非常小巧，有助于实现较高的功率密度。该模块降低了系统成本和损耗，可满足高能效要求。典型应用包括辅助逆变器、空调、伺服电机和暖通空调 (HVAC)。