IAUCN08S7L013ATMA1

Infineon Technologies
726-IAUCN08S7L013ATM
IAUCN08S7L013ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 7 Power-Transistor

寿命周期:
新产品:
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库存量: 2,898

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥36.3973 ¥36.40
¥24.069 ¥240.69
¥16.9613 ¥1,696.13
¥15.0516 ¥7,525.80
¥14.803 ¥14,803.00
¥14.0572 ¥35,143.00
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
¥14.0572 ¥70,286.00

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
293 A
1.26 mOhms
20 V
2 V
120 nC
- 55 C
+ 175 C
219 W
Enhancement
OptiMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 35 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 14 ns
系列: OptiMOS 7
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 102.4 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: IAUCN08S7L013 SP006059915
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 80V汽车级功率MOSFET采用英飞凌的前沿功率半导体技术制造。这些MOSFET专为满足汽车应用对高性能、质量和可靠性的严格要求而设计。OptiMOS™ 7 80V MOSFET工作采用±20VGS栅-源电压，工作在-55°C至+175°C温度范围内。这些MOSFET采用顶部冷却SSO10T 5x7mm2 SMD封装。SSO10T封装有助于用户在散热和功率密度方面取得进展。80V功率MOSFET符合MSL-1评级，符合 RoHS 标准且100%经过雪崩测试。这些功率MOSFET非常适合一般汽车应用。

OptiMOS™ 7汽车用功率MOSFET

英飞凌正推出领先的OptiMOS™ 7车规级功率MOSFET技术，该技术显著降低了导通电阻和开关损耗，并增强了坚固性。OptiMOS 7重新定义了汽车功率MOSFET的格局。英飞凌的OptiMOS 7 MOSFET技术为汽车应用确立了新标准，可实现高性能和高效率，同时应对未来汽车系统的挑战。

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