IMBG120R045M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R045M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R045M1HXT
Price: 83.96 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMBG120R045M1HXT

制造商编号：

IMBG120R045M1HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

数据表:

IMBG120R045M1HXTMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥94.8748	¥94.87
	¥71.8002	¥718.00
	¥62.1161	¥6,211.61
	¥57.1554	¥28,577.70
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥53.3473	¥53,347.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	47 A
Rds On-漏源导通电阻:	45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.1 V
Qg-栅极电荷:	46 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	227 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
系列:	CoolSiC 1200V
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
零件号别名:	IMBG120R045M1H SP005349829

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Product Catalogs

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ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。

CoolSiC™ 1200V SiC沟槽式MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 1200V SiC沟槽式MOSFET将碳化硅的强大物理特性与提高器件性能、可靠性和易用性的独特特性结合在一起。 CoolSiC 1200V SiC沟槽式MOSFET基于先进的沟槽半导体工艺，经过优化，可实现最低应用损耗和最高运行可靠性。这些器件适用于在高温和恶劣环境中运行，能够以最高的系统效率实现简化和有效的部署。