IMBG120R350M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG120R350M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG120R350M1HXT
Price: 44.58 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-IMBG120R350M1HXT

制造商编号：

IMBG120R350M1HXTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

碳化硅MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

数据表:

IMBG120R350M1HXTMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

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封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥50.3754	¥50.38
	¥33.0073	¥330.07
	¥24.3176	¥2,431.76
	¥21.5943	¥10,797.15
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥19.1874	¥19,187.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	4.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	468 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 7 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.1 V
Qg-栅极电荷:	5.9 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	65 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolSiC
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	16 ns
正向跨导 - 最小值:	1.2 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	0.7 ns
系列:	CoolSiC 1200V
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
技术:	SiC
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	6.3 ns
零件号别名:	IMBG120R350M1H SP004463802

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Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFET

英飞凌CoolSiC™ MOSFET采用先进的沟槽半导体工艺构建，经过优化，可实现最低的应用损耗和最高的运行可靠性。该款分立式CoolSiC产品组合采用TO和SMD外壳，有650V、1200V和1700V电压等级可供选择，额定导通电阻范围为27mΩ 至1000mΩ 。CoolSiC沟槽式技术可实现灵活的参数集，用于在各自的产品组合中实现特定应用的特性。这些特性包括栅极-源极电压、雪崩规格、短路能力或额定用于硬换向的内部体二极管。