IMBG75R060M2HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG75R060M2HXTM
IMBG75R060M2HXTMA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 134

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥60.1386 ¥60.14
¥44.9175 ¥449.18
¥36.3069 ¥3,630.69
¥32.5101 ¥16,255.05
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥28.5325 ¥28,532.50

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
29 A
78 mOhms
- 7 V, 23 V
5.6 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
116 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: MY
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 5 ns
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品: SiC MOSFET
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 5 ns
系列: CoolSiC G2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
技术: SiC
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: IMBG75R060M2H SP006098927
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ 750V碳化硅MOSFET旨在提供高效率、对单极栅极驱动寄生导通的鲁棒性以及可靠性。这些MOSFET在图腾柱、ANPC、维也纳整流器和FCC硬开关拓扑 中提供卓越的性能。输出电容 (Coss) 的降低使该MOSFET能够在循环换流器、CLLC、DAB和LLC软开关拓扑中以更高的开关频率运行。CoolSiC™ 750V G2 MOSFET的最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ，并通过改进的栅极控制改善了开关损耗。这些MOSFET通过了汽车和工业认证。典型应用包括电动汽车充电基础设施、电信、断路器、固态继电器、太阳能光伏逆变器和高压-低压DC-DC转换器。

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