IMZA65R050M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA65R050M2HXKS
IMZA65R050M2HXKSA1

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

数据表:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥62.8619 ¥62.86
¥36.725 ¥367.25
¥34.8266 ¥3,482.66

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
38 A
62 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
153 W
Enhancement
CoolSiC
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 4.4 ns
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
上升时间: 7.6 ns
系列: 650V G2
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
技术: SiC
典型关闭延迟时间: 13.5 ns
典型接通延迟时间: 8.1 ns
零件号别名: IMZA65R050M2H
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 650 V G2碳化硅MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™ 650V G2碳化硅MOSFET利用 碳化硅的性能能力，降低能量损耗，从而在电源转换过程中实现更高的效率。 英飞凌CoolSiC 650V G2 MOSFET为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动器和工业电源等各种功率半导体应用带来优势。配备CoolSiC G2的电动汽车DC快速充电站与上一代产品相比，功率损耗可减少10%，同时在不影响外形因子的前提下，实现更高的充电容量。

CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET

英飞凌 CoolSiC™ G2碳化硅MOSFET能够实现出色碳化硅 ( SiC) 性能水平，同时在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-AC）中满足最高质量标准。与硅基器件相比，碳化硅 (SiC) MOSFET可为光伏逆变器、储能系统、电动汽车 (EV) 充电、电源和 电机驱动器提供更高的性能。英飞凌CoolSiC G2 MOSFET进一步推进了独特的XT互连技术（例如，采用分立式外壳TO-263-7、TO-247-4），在保持散热能力的同时克服了提高半导体芯片性能的常见挑战。G2的散热能力提高了12%，将芯片的品质因数提升到碳化硅 (SiC) 性能的稳健水平。

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