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IPB60R099CP

Name: Infineon IPB60R099CP
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB60R099CP
Price: 60.68 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPB60R099CP

制造商编号：

IPB60R099CP

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP

寿命周期:

NRND:

不建议用于新设计。

数据表:

IPB60R099CP 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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库存量: 1,030

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生产周期：: 8 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥68.5684	¥68.57
	¥45.6633	¥456.63
	¥36.8945	¥3,689.45
	¥34.1599	¥17,079.95
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
	¥29.0297	¥29,029.70

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

IPB60R099CPATMA1

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供货情况:

库存量

单价:

¥66.9186

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	31 A
Rds On-漏源导通电阻:	90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	80 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	255 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	5 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
系列:	CoolMOS CE
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
零件号别名:	SP000088490 IPB6R99CPXT IPB60R099CPATMA1
单位重量:	4 g

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已选择的属性: 0

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数据表

IPB60R099CP 数据表 (PDF)

Product Catalogs

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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