IPBE65R190CFD7AATMA1

Infineon Technologies
726-IPBE65R190CFD7A1
IPBE65R190CFD7AATMA1

制造商:

说明:
MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS

ECAD模型:
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库存量: 860

库存:
860 可立即发货
生产周期:
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
数量大于860的订购须受最低订购要求的限制。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥37.7985 ¥37.80
¥24.6453 ¥246.45
¥19.2778 ¥1,927.78
¥16.1251 ¥8,062.55
整卷卷轴(请按1000的倍数订购)
¥14.9725 ¥14,972.50
¥14.0572 ¥28,114.40

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
14 A
190 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
28 nC
- 40 C
+ 150 C
77 W
Enhancement
AEC-Q101
CoolMOS
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
产品类型: MOSFETs
系列: CoolMOS CFD7A
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
零件号别名: IPBE65R190CFD7A SP005398486
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已选择的属性: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技  650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用,例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性,因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率,特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小,因此设计更加紧凑。