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IPD60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPD60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R180CM8XTMA
Price: 16.4 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
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Mouser编号：

726-IPD60R180CM8XTMA

制造商编号：

IPD60R180CM8XTMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET HIGH POWER_NEW

寿命周期:

Mouser 的新产品

数据表:

IPD60R180CM8XTMA1 数据表 (PDF)

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¥-.--

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¥-.--

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数量	单价	总价
	¥18.532	¥18.53
	¥11.6616	¥116.62
	¥8.3507	¥835.07
	¥7.0286	¥3,514.30
	¥6.7461	¥6,746.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.1811	¥15,452.75

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-252-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	600 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4.7 V
Qg-栅极电荷:	17 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	127 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	DE
下降时间:	12.8 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6 ns
系列:	600V CM8
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	88.4 ns
典型接通延迟时间:	17.2 ns
零件号别名:	IPD60R180CM8 SP005578057

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已选择的属性: 0

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数据表

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

650V CoolMOS™ CFD7A SJ功率MOSFET

英飞凌科技 650V CoolMOS ™ CFD7A SJ功率MOSFET适用于电动汽车应用，例如车载充电器、高压-低压直流-直流转换器和辅助电源。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET提高了宇宙辐射稳健性，因此能够以与前几代产品和其他市场产品相当的可靠性施加更高的电池电压。CoolMOS CFD7A SJ功率MOSFET可确保硬开关和谐振开关拓扑的高效率，特别是在轻负载条件下。在与前几代产品相当的栅极损耗水平下实现更高开关频率。系统重量轻、占用空间小，因此设计更加紧凑。

体验功率差异

英飞凌是功率半导体市场的领导者。英飞凌拥有20多年的经验，是革命性CoolMOS™ 超级结MOSFET技术的创新者，在电源管理领域继续开拓创新。客户可以根据单独的设计/系统要求从业界最广泛的硅基SJ MOSFET产品组合中进行选择。作为掌握所有三种主要电源技术的少数制造商之一，英飞凌以突破性的宽带隙 (WBG) 产品补充了这一系列产品。该产品包括碳化硅基CoolSiC™ MOSFET、匹配二极管和氮化镓CoolGaN™ E模式HEMT。可提供各种解决方案，从卓越的性价比到无与伦比的稳健性，再到同类最佳的器件。这使得客户能够构建更高效、环保和可持续的应用。