免费电话: 400-821-6111

TTI Family of Specialists旗下成员联系Mouser (上海) 免费电话: 400-821-6111 反馈

更改位置

¥ RMB

库存量

RoHS

制造商	制造商编号：	数量	总价（含13%增值税）

查看购物车

您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

看到错误？

IPP055N08NF2SAKMA1

Name: Infineon IPP055N08NF2SAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPP055N08NF2SAKM
Price: 18.3 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-IPP055N08NF2SAKM

制造商编号：

IPP055N08NF2SAKMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET IFX FET > 60-80V

数据表:

IPP055N08NF2SAKMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IPP055N08NF2SAKMA1详情

库存量: 3,000

库存：: 3,000 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 13 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥20.679	¥20.68
	¥10.17	¥101.70
	¥9.1869	¥918.69
	¥7.3337	¥3,666.85
	¥7.0286	¥7,028.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	99 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	36 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	107 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
零件号别名:	IPP055N08NF2S SP005548846

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IPP055N08NF2SAKMA1 数据表 (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

通用应用用MOSFET

英飞凌科技通用应用用MOSFET提供简单、具有价格竞争力的解决方案，具有广泛的可用性和出色的质量。该产品组合涵盖高达100V电压等级。它包括单路和双路N沟道MOSFET，以及用于较小功率处理（单路和双路N沟道和P沟道MOSFET）的产品。所选零件有多种封装可选，包括SOT-23、PQFN 2x2、PQFN 3x3、DPAK、SO-8、SuperSO8 5x6和TO220。这些产品适合用于各种通用应用，例如适配器、充电器、电池供电应用、电机控制和驱动器、电池管理系统、逆变器、计算和移动应用。