IPP60R160P6

Infineon Technologies
726-IPP60R160P6
IPP60R160P6

制造商:

说明:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 411

库存:
411 可立即发货
生产周期:
12 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.3687 ¥29.37
¥19.1083 ¥191.08
¥14.6448 ¥1,464.48
¥12.1588 ¥6,079.40
¥10.6672 ¥10,667.20

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
23.8 A
144 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
44 nC
- 55 C
+ 150 C
176 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 5.8 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 7.6 ns
系列: CoolMOS P6
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 12.5 ns
零件号别名: SP001017068 IPP60R160P6XKSA1
单位重量: 2 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99