IPP60R165CP

Infineon Technologies
726-IPP60R165CP
IPP60R165CP

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
数据表:
ECAD模型:
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库存量: 355

库存：
355 可立即发货
生产周期：
14 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥39.1206 ¥39.12
¥25.8883 ¥258.88
¥20.2609 ¥2,026.09
¥17.9444 ¥8,972.20
¥15.9669 ¥15,966.90

备用包装

制造商零件编号:
IPP60R165CPXKSA1
包装:
Tube
供货情况:
库存量
单价:
¥26.1369
最小:
1

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
21 A
150 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
52 nC
- 55 C
+ 150 C
192 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CoolMOS CE
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP000084279 IPP6R165CPXK IPP60R165CPXKSA1
单位重量: 2 g
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperFET™ CE 功率 MOSFET

英飞凌 CoolMOS™ CE 功率 MOSFET 是一个高压功率 MOSFET 技术平台，它根据超级结原理（SJ）进行设计，满足客户要求。CoolMOS™ CE 产品系列包括 500V、600V 和 650V 器件，适用于移动设备和电动工具的低功率充电器、笔记本电脑的适配器、LCD、LED 电视 和 LED 照明。全新系列的 CoolMOS™ 成本经优化可满足消费者的典型要求，不牺牲 CoolMOS™ 的高品质和可靠性，同时价格仍有足够吸引力。
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