IPP60R385CP

Infineon Technologies
726-IPP60R385CP
IPP60R385CP

制造商:

说明:
MOSFET N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

寿命周期:
NRND:
不建议用于新设计。
ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
8 周 预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.7413 ¥23.74
¥15.3002 ¥153.00
¥10.9158 ¥1,091.58
¥8.0908 ¥4,045.40
¥7.9439 ¥7,943.90
¥7.9213 ¥19,803.25

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
350 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
22 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 5 ns
系列: CoolMOS CE
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IPP6R385CPXK SP000082281 IPP60R385CPXKSA1
单位重量: 2 g
找到的产品:
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已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SuperFET™ CE 功率 MOSFET

英飞凌 CoolMOS™ CE 功率 MOSFET 是一个高压功率 MOSFET 技术平台,它根据超级结原理(SJ)进行设计,满足客户要求。CoolMOS™ CE 产品系列包括 500V、600V 和 650V 器件,适用于移动设备和电动工具的低功率充电器、笔记本电脑的适配器、LCD、LED 电视 和 LED 照明。全新系列的 CoolMOS™ 成本经优化可满足消费者的典型要求,不牺牲 CoolMOS™ 的高品质和可靠性,同时价格仍有足够吸引力。
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