IPW60R190P6

Infineon Technologies
726-IPW60R190P6
IPW60R190P6

制造商:

说明:
MOSFET HIGH POWER_PRC/PRFRM

ECAD模型:
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库存量: 615

库存:
615 可立即发货
生产周期:
10 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥32.5892 ¥32.59
¥21.3457 ¥213.46
¥15.7183 ¥1,571.83
¥13.899 ¥6,671.52
¥12.4074 ¥14,888.88

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20.2 A
171 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
151 W
Enhancement
CoolMOS
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: CN
扩散国家: DE
原产国: MY
下降时间: 7 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: CoolMOS P6
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
零件号别名: SP001017090 IPW60R190P6FKSA1
单位重量: 6 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99