IPZA65R018CFD7XKSA1

Infineon Technologies
726-ZA65R018CFD7XKSA
IPZA65R018CFD7XKSA1

制造商：

说明：
MOSFET HIGH POWER_NEW

数据表:
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库存量: 140

库存：
140
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在途量:
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8
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥144.1767 ¥144.18
¥89.7446 ¥897.45
¥81.473 ¥8,147.30
¥81.3939 ¥39,069.07

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
700 V
106 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
234 nC
- 55 C
+ 150 C
446 W
Enhancement
Tube
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: DE
产品类型: MOSFETs
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
零件号别名: IPZA65R018CFD7 SP005413354
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已选择的属性: 0

数据表

Product Catalogs

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET

英飞凌科技650V CoolMOS™ CFD7 SJ功率MOSFET是超快二极管，扩展了CFD7系列的电压等级产品。该功率MOSFET具有额外的50V击穿电压、集成快速体二极管、改进的开关性能以及出色的散热性能。这些CFD7功率MOSFET在LLC和相移全桥 (ZVS) 等谐振开关拓扑中提供最高效率。这些MOSFET将快速开关技术的所有优势与出色的硬计算稳健性结合在一起。这些功率MOSFET支持符合可靠性标准的CoolMOS™ CFD7技术，进一步支持高功率密度解决方案。

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