您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

IR2233JTRPBF

Name: Infineon IR2233JTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IR2233JTRPBF
Price: 76.42 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

942-IR2233JTRPBF

制造商编号：

IR2233JTRPBF

制造商：

Infineon Technologies

说明：

栅极驱动器 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD

数据表:

IR2233JTRPBF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies IR2233JTRPBF详情

库存量: 349

库存：: 349 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥86.3546	¥86.35
	¥67.4158	¥674.16
	¥62.7037	¥1,567.59
	¥57.4831	¥5,748.31
	¥55.0084	¥13,752.10
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
	¥53.3473	¥26,673.65

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

备用包装

制造商零件编号:

IR2233JPbF

包装:

Tube

供货情况:

库存量

单价:

¥79.9814

最小:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	栅极驱动器
RoHS:
产品:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
类型:	Half-Bridge
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PLCC-32
激励器数量:	6 Driver
输出端数量:	6 Output
输出电流:	500 mA
电源电压-最小:	10 V
电源电压-最大:	20 V
上升时间:	90 ns
下降时间:	40 ns
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 125 C
系列:	IR223X
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Infineon Technologies
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
特点:	Independent
逻辑类型:	CMOS, LSTTL
最大关闭延迟时间:	700 ns
最大开启延迟时间:	750 ns
湿度敏感性:	Yes
工作电源电流:	4 mA
Pd-功率耗散:	2 W
产品类型:	Gate Drivers
传播延迟—最大值:	1 us
关闭:	Shutdown
工厂包装数量:	500
子类别:	PMIC - Power Management ICs
技术:	Si
商标名:	EiceDRIVER

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

IR2233JTRPBF 数据表 (PDF)

Application Notes

Product Catalogs

Technical Resources

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542310075
KRHTS:: 8542311000
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542310302
ECCN:: EAR99

1200V电平移位栅极驱动器

英飞凌工业驱动用1200V电平转换栅极驱动器包含三相、半桥以及高侧和低侧驱动器，用于驱动IGBT或MOSFET。6ED2230S12T 3相1200V SOI驱动器集成有自举二极管（BSD）和过流保护，采用英飞凌独特的绝缘体上硅（SOI）电平转换技术。 6ED2230S12T提供功能隔离，具有业界领先的负VS稳健性。此外，该器件还通过集成自举二极管来减少电平转换损耗，从而降低物料成本，缩小PCB占用空间。

IR2233/IR2235 MOSFET和IGBT驱动器

英飞凌科技 IR2233/IR2235 MOSFET和IGBT驱动蓝牙三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于三相应用。专有的HVIC技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入兼容CMOS或LSTTL输出，支持低至2.5V的逻辑电平。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻器提供桥接电流模拟反馈。

IR2133/IR2135/IR2233/IR2235栅极驱动器IC

英飞凌科技IR2133/IR2135/IR2233/IR2235栅极驱动器IC具有三个独立的高侧和低侧参考输出通道，用于三相应用。该栅极驱动器IC采用专有的HVIC技术，实现坚固的单片结构。IR2133/IR2135/IR2233/IR2235 IC具有与CMOS或LSTTL输出兼容的逻辑输入，低至2.5V逻辑。此外，该器件还设有独立的运算放大器。该放大器通过外部电流检测电阻器提供桥接电流的模拟反馈。

EiceDRIVER™栅极驱动器IC

Infineon EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC设计用于MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT器件。EiceDRIVER™ 栅极驱动器提供0.1A至10A的各种典型输出电流选项。这些器件具有稳健栅极驱动器保护功能，如快速短路保护（DESAT）、有源米勒钳位、击穿保护、故障、关断以及过流保护。这些特性使这些驱动器IC非常适合用于硅和宽带隙功率器件，包括CoolGaN™ 和CoolSiC™ 。因此，英飞凌提供超过500种EiceDRIVER™ 栅极驱动器IC解决方案，适用于任何电源开关和任何应用。