ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 47.14 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-ISC016N08NM8SCAT

制造商编号：

ISC016N08NM8SCATMA1

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

ISC016N08NM8SCATMA1 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Infineon Technologies ISC016N08NM8SCATMA1详情

供货情况

库存：: 0

您可以延期订购此产品。

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 52 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥53.2682	¥53.27
	¥34.9057	¥349.06
	¥25.7301	¥2,573.01
	¥22.9955	¥11,497.75
	¥22.1706	¥55,426.50
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥22.0802	¥88,320.80

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PG-WSON-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	269 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.54 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	76 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	263 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	OptiMOS
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
下降时间:	7.2 ns
正向跨导 - 最小值:	55 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	6.1 ns
系列:	OptiMOS 8
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	28 ns
典型接通延迟时间:	14 ns
零件号别名:	ISC016N08NM8SC SP006195339