ISC024N08NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC024N08NM7ATMA
ISC024N08NM7ATMA1

制造商:

说明:
MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

寿命周期:
新产品:
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供货情况

库存:

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
交货限制:
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Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
80 V
167 A
2.4 mOhms
20 V
3.2 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 130 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.8 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20.4 ns
典型接通延迟时间: 10.3 ns
零件号别名: ISC024N08NM7 SP006183896
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已选择的属性: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管,专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻,以及优异的米勒比率,耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对 硬开关拓扑结构、软开关拓扑结构以及FOMoss进行了优化设计。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试,并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准,不含卤素。