ISC040N10NM7ATMA1

Infineon Technologies
726-ISC040N10NM7ATMA
ISC040N10NM7ATMA1

制造商：

说明：
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 827

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥21.3457 ¥21.35
¥13.7295 ¥137.30
¥9.7632 ¥976.32
¥8.2377 ¥4,118.85
¥7.1416 ¥7,141.60

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: MOSFET
Si
SMD/SMT
PG-TDSON-8
N-Channel
1 Channel
100 V
130 A
4 mOhms
20 V
3.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 4.4 ns
正向跨导 - 最小值: 55 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 3.3 ns
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 17.2 ns
典型接通延迟时间: 9.4 ns
零件号别名: ISC040N10NM7 SP006167253
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET

英飞凌N沟道OptiMOS™ 7功率MOSFET是高性能N沟道晶体管，专为要求苛刻的电源转换应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻、出色的热阻，以及优异的米勒比率，耐dv/dt。OptiMOS™ 7功率MOSFET针对 硬开关拓扑结构、软开关拓扑结构以及FOMoss进行了优化设计。这些功率MOSFET都100%通过了雪崩测试，并且符合RoHS标准。OptiMOS™ 7 功率MOSFET符合IEC61249‑2‑21国际标准，不含卤素。

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