S29GL064S80DHIV10

Infineon Technologies
797-29GL064S80DHIV10
S29GL064S80DHIV10

制造商：

说明：
NOR闪存 64MB 3V, 80ns Parallel NOR闪存

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 1,228

库存：
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生产周期：
3 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥45.6859 ¥45.69
¥42.5558 ¥425.56
¥41.2563 ¥1,031.41
¥40.2958 ¥2,014.79
¥39.3466 ¥3,934.66
¥38.0358 ¥9,508.95
¥37.0866 ¥18,543.30
¥36.2165 ¥36,216.50
¥32.657 ¥84,908.20

产品属性 属性值 选择属性
Infineon
产品种类: NOR闪存
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-64
S29GL064S
64 Mbit
2.7 V
3.6 V
50 mA
Parallel
8 M x 8
8 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 85 C
Tray
商标: Infineon Technologies
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
湿度敏感性: Yes
产品类型: NOR Flash
速度: 80 ns
工厂包装数量: 1300
子类别: Memory & Data Storage
商标名: MirrorBit
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
JPHTS:
854232031
KRHTS:
8542321090
TARIC:
8542326100
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

S29GL064S闪存

Cypress S29GL064S闪存系列器件是3V单电源闪存、采用65nm MirrorBit® 工艺技术制造。 这些器件是16位宽数据，也可以通过使用BYTE＃输入用作8位宽数据总线。 该内存器件是完整命令集，符合JEDEC单电源闪存标准。 Cypress MirrorBit®闪存技术产生最高水平的质量、可靠性和高性价比。 特性包括低功耗，70ns访问时间的高性能，以及具有多功能I/O的CMOS 3V内核。

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