IFD89T72

Name: InterFET IFD89T72
Brand: InterFET
SKU: 106-IFND89
Price: 93.85 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

106-IFND89

制造商编号：

IFD89T72

制造商：

InterFET

说明：

JFET JFET N-Channel -15V Low Ciss

数据表:

IFD89T72 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	InterFET
产品种类:	JFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-72-4
晶体管极性:	N-Channel
配置:	Single
Vds-漏源极击穿电压:	3.3 V
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 15 V
闸/源截止电压:	- 900 mV
Vgs=0时的漏-源电流:	1 mA
Id-连续漏极电流:	1 uA
Rds On-漏源导通电阻:	3 kOhms
Pd-功率耗散:	250 mW
系列:	IFND89
封装:	Bulk
商标:	InterFET
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
正向跨导 - 最小值:	600 uS
产品类型:	JFETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
单位重量:	20 mg

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数据表

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

IFND89 N-Channel JFET

InterFET IFND89 N-Channel JFET offers low noise and high gain with integrated back-to-back diodes on the gate. It is packaged in either an SC70-5 or TO-72 package and is well suited to applications requiring high gain, low noise, and low pinch-off voltage (less than 0.9 volts). It provides over-voltage protection by clipping transient spikes, and the low current/low voltage capability makes the IFND89 ideal for battery operation.