LSIC2SD065D08A Littelfuse

说明：

碳化硅肖特基二极管 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Littelfuse
产品种类:	碳化硅肖特基二极管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-2 (TO-263-2)
配置:	Single
If - 正向电流:	8 A
Vrrm - 重复反向电压:	650 V
Vf - 正向电压:	1.8 V
Ifsm - 正向浪涌电流:	40 A
Ir - 反向电流 :	100 uA
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:	LSIC2SD
资格:	AEC-Q101
商标:	Littelfuse
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	KR
产品类型:	SiC Schottky Diodes
工厂包装数量:	800
子类别:	Diodes & Rectifiers

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USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管

Littelfuse LSIC2SD GEN2碳化硅 (SiC) 肖特基二极管可为各种应用提供更高的效率、可靠性和更强的热管理。这些二极管的最高工作结温为+175°C，其正温度系数支持安全操作和轻松并联。Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管的其他特性包括高浪涌承受能力和几乎可忽略的反向恢复电流。这些二极管的开关动作极快且不受温度影响。与硅双极二极管相比，GEN2 SiC肖特基二极管大幅减少了开关损耗。LSIC2SD GEN2 SiC肖特基二极管非常适合用于电动车充电桩、太阳能逆变器、开关模式电源等。这些二极管采用多种封装和电压/电流额定值，包括650V（6A至40A）和1200V（5A至40A）。

碳化硅MOSFET

Littelfuse碳化硅MOSFET优化用于高频、高效率应用。这些坚固的碳化硅MOSFET采用TO-247-3L封装，具有超低导通电阻。Littelfuse提供内部设计、开发和制造的碳化硅MOSFET，这些器件具有极低的栅极电荷和输出电容，在所有温度范围内具有业界领先的性能和耐用性，还具有超低导通电阻。现可供应电压为1200V的80mΩ、120mΩ和160mΩ版本。