CGH40006P

MACOM
941-CGH40006P
CGH40006P

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt

数据表:
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¥684.3054 ¥6,843.05
¥656.1684 ¥52,493.47
560 报价

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
440109
N-Channel
120 V
750 mA
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
商标: MACOM
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
开发套件: CGH40006P-TB
增益: 13 dB
最大工作频率: 6 GHz
最小工作频率: 2 GHz
输出功率: 9 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 80
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
单位重量: 4.605 g
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
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