CGH40180PP

MACOM
941-CGH40180PP
CGH40180PP

制造商:

说明:
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

ECAD模型:
下载免费库加载程序,将此文件转换,以供您的ECAD工具使用。了解详情。

库存量: 21

库存:
21 可立即发货
生产周期:
26 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥6,365.0301 ¥6,365.03

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440199
N-Channel
2 Channel
120 V
24 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
商标: MACOM
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
开发套件: CGH40180PP-TB
增益: 19 dB
最大工作频率: 2.5 GHz
最小工作频率: 1 GHz
输出功率: 220 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 10
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
单位重量: 29.304 g
找到的产品:
要显示类似产品,至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

此功能要求启用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比,氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比,氮化镓具有出色的性能,包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
了解更多