CGH55015F2

MACOM
941-CGH55015F2
CGH55015F2

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt

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产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
440166
N-Channel
120 V
1.5 A
- 3 V
- 40 C
+ 150 C
商标: MACOM
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 12 dB
最大工作频率: 6 GHz
最小工作频率: 4.5 GHz
输出功率: 10 W
封装: Tray
产品: GaN HEMTs
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 100
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
单位重量: 500 mg
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已选择的属性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854239099
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

氮化镓高电子迁晶体管

科锐 与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓(GaN)高电子迁晶体管(HEMT)具有更高的功率密度和更宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。
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