GTVA126001EC-V1-R0

MACOM
941-GTVA126001ECV1R0
GTVA126001EC-V1-R0

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

数据表:
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库存量: 9

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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥9,783.7773 ¥9,783.78
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
¥9,783.7773 ¥489,188.87
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
MACOM
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
Screw Mount
H-36248-2
N-Channel
150 V
10 A
- 3 V
商标: MACOM
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: US
增益: 18 dB
最大工作频率: 1.4 GHz
最小工作频率: 1.2 GHz
输出功率: 600 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品类型: GaN FETs
工厂包装数量: 50
子类别: Transistors
技术: GaN
晶体管类型: GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V to 2 V
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

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USHTS:
8541290055
ECCN:
EAR99

GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT

Wolfspeed/Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT是基于碳化硅基氮化镓技术的50V高电子迁移率晶体管 (HEMT)。碳化硅基氮化镓器件具有高功率密度和高击穿电压，可实现高效功率放大器。该GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT具有输入匹配、高效率和散热增强型封装。这些脉冲波/CW（连续波）器件具有128µs的脉冲宽度和10%的占空比。

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