GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 1578.85 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

941-GTVA262701FAV2R0

制造商编号：

GTVA262701FA-V2-R0

制造商：

MACOM

说明：

GaN 场效应晶体管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

数据表:

GTVA262701FA-V2-R0 数据表 (PDF)

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封装:

整卷卷轴（请按50的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

此产品免运费

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数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥1,784.1005	¥1,784.10
	¥1,506.5386	¥15,065.39
整卷卷轴（请按50的倍数订购）
	¥1,506.5386	¥75,326.93
100	报价

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	H-87265J-2
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	125 V
Id-连续漏极电流:	12 A
最大工作温度:	+ 225 C
商标:	MACOM
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
增益:	17 dB
最大工作频率:	2.69 GHz
最小工作频率:	2.496 GHz
输出功率:	270 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
产品类型:	GaN FETs
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	GaN HEMT
Vgs-栅源极击穿电压 :	- 10 V to 2 V

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PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管，用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。