PXAE263708NB-V1-R0

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R0
Price: 487.07 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

941-PXAE263708NBV1R0

制造商编号：

PXAE263708NB-V1-R0

制造商：

MACOM

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

数据表:

PXAE263708NB-V1-R0 数据表 (PDF)

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制造商零件编号:

PXAE263708NB-V1-R2

包装:

Reel, Cut Tape, MouseReel

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¥975.8793

最小:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	MACOM
产品种类:	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:
晶体管极性:	N-Channel
技术:	Si
Vds-漏源极击穿电压:	65 V
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
工作频率:	2.62 GHz to 2.69 GHz
增益:	13.5 dB
输出功率:	400 W
最大工作温度:	+ 225 C
安装风格:	Screw Mount
封装 / 箱体:	HB2SOF-8-1
封装:	Reel
商标:	MACOM
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
通道数量:	1 Channel
产品类型:	RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:	50
子类别:	MOSFETs
类型:	RF Power MOSFET
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V to + 10 V

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管，用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。