APTGT200A120G

Name: Microchip APTGT200A120G
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-APTGT200A120G
Price: 1292.71 RMB
Availability: InStock

Mouser编号：

494-APTGT200A120G

制造商编号：

APTGT200A120G

制造商：

Microchip Technology

说明：

IGBT 模块 PM-IGBT-TFS-SP6C

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APTGT200A120G 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Microchip
产品种类:	IGBT 模块
RoHS:
产品:	IGBT Modules
配置:	Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO:	1.2 kV
集电极—射极饱和电压:	1.7 V
在25 C的连续集电极电流:	280 A
栅极—射极漏泄电流:	500 nA
Pd-功率耗散:	890 W
封装 / 箱体:	SP6
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 100 C
封装:	Tube
商标:	Microchip Technology
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	PH
栅极/发射极最大电压:	20 V
安装风格:	Screw Mount
产品类型:	IGBT Modules
工厂包装数量:	1
子类别:	IGBTs
技术:	Si
单位重量:	110 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT功率模块

Microchip IGBT功率模块是具有不同沟槽和场中止形式的全系列IGBT功率模块，具有优化的开关和导通损耗性能。用功率模块零件号识别所采用的IGBT类型。Trench5 IGBT系列补充了Micochip的IGBT功率模块产品，是NPT IGBT的完美替代品。Microchip碳化硅分立式和模块产品可被视为需要开关频率高于20kHz应用的替代解决方案。