MSC010SDA070S

Microchip Technology
579-MSC010SDA070S
MSC010SDA070S

制造商:

说明:
碳化硅肖特基二极管 SIC SBD 700 V 10 A TO-268

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
4 周 预计工厂生产时间。
最少: 270   倍数: 30
单价:
¥-.--
总价:
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此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥22.1706 ¥5,986.06

产品属性 属性值 选择属性
Microchip
产品种类: 碳化硅肖特基二极管
RoHS:  
SMD/SMT
TO-268-3
Single
24 A
700 V
1.5 V
58 A
- 55 C
+ 175 C
Tube
商标: Microchip Technology
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: Not Available
Pd-功率耗散: 83 W
产品类型: SiC Schottky Diodes
工厂包装数量: 30
子类别: Diodes & Rectifiers
Vr - 反向电压 : 700 V
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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管

Microsemi/Microchip  (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有出色的动态性能和热性能,优于传统的硅功率二极管。碳化硅势垒二极管由硅 (Si) 和碳 (C) 组成。与纯硅器件相比,碳化硅器件具有更高的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。碳化硅肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,可减少二极管的开关损耗。这些器件还设有温度独立开关,可确保稳定的高温性能。